ANS305-DP单晶硅差压变送器采用单晶硅技术压力传感器,单晶硅压力传感器位于金属本体顶部,远离介质接触面,实现机械隔离和热隔离,玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘,提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力,可应对复杂的化学场合和机械负荷,同时具备较强的抗电磁干扰能力,适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。
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6kPa 40kPa 250kPa 1MPa 3MPa 10MPa
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200Pa 400Pa 2.5kPa 10kPa 30kPa 100kPa
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6kPa 40kPa 250kPa 1MPa 3MPa 10MPa
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25MPa 40MPa 40MPa 40MPa 40MPa 40MPa
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25MPa 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa
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16MPa 16MPa 16MPa 16MPa 3MPa** 3MPa
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低限值(LRL )与高限值(URL )在量程上下限范
围内取值,当| URL |≥| LRL |时,须满足| URL |≥最小量程;当
| URL |≤| LRL |时,须满足| LRL |≥最小量程
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取决于承压能力最弱部件的压力值,此过载压力为传感器所能承受的最大压力,而非产品本身所能承受的最大压力。
如果加压 3MPa 以上,会对传感器造成损坏