4月25日消息，美国政府近日宣布，根据双方签订的不具约束力的初步备忘录，美国政府将根据《芯片与科学法案》向美光提供至多 61.4 亿美元直接补贴。

这笔补贴将支持美光到 2030 年在美国投资 500 亿美元（当前约 3630 亿元人民币），在纽约州克莱建设两座先进 DRAM 内存“超级晶圆厂，并在总部所在地爱达荷州博伊西建设一座先进 DRAM 内存大规模量产工厂。

美光博伊西晶圆厂将于 2025 年上线投运，2026 年启动 DRAM 生产；美光在克莱的首座晶圆厂 2025 年开始建设，2028 年上线。

500 亿是美光更长期 1250 亿美元投资的一部分：美光目标在纽约州克莱投资共计 1000 亿美元，到 2041 年建成四座这样的“超级晶圆厂”；博伊西项目则价值 250 亿美元。

计划中的每座晶圆厂的洁净室面积都将达到 600000 平方英尺（约 55740 平方米）。

美光预计，前三家晶圆厂的投运将推动美国在全球先进内存制造领域的份额从现在的不到 2% 成长至 2035 年的约 10%。

未来的二十多年中，美光的这五家晶圆厂将创造 11000 个企业内部工作岗位、9000 个建筑工作岗位和 55000 个间接工作岗位。

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